獨特的直拉單晶工藝，先進的單晶爐控制系統，具有較低的拉速和溫度波動，有效地控制雜質和缺陷，提高硅片電學性能、提高硅片的徑向電學性能集中度。
全新研發設計單晶熱場，優異的現場工藝，具有超低氧含量（≤14PPMA），電池轉換效率低衰減特點。
獨特的電阻控制技術，使得硅片電阻具有更低、更集中的分布，控制硅片電阻率平均值0.65±0.03Ω·CM，更適合高效單晶PERC電池技術。
單晶全工序高純管理，減少深能級雜質含量，確保單晶硅片高少子壽命特點，少子標準高于行業，高品質發貨。
