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                單晶硅片G12(210mm)

                瀏覽次數:2705
                主要參數:
                項目(Property檢驗標準(Specification測量方法(Measurement
                晶體結構(Crystallinity)單晶 (Mono-crystalline)位錯檢測儀 (Dislocation Tester)
                導電類型
                (Donor type/Dopant)
                P型 (P-type)P/N型測試筆 (P/N Tester)
                氧含量(Oxygen Concentration)≤7.5×1017atoms/cm3德國布魯布TENSOR II(BRUKER TENSOR II)
                碳含量(Carbon Concentration)≤5.0×1016atoms/cm3德國布魯布TENSOR II(BRUKER TENSOR II)
                少子壽命 (Lifetime)≥50μSSinton BCT-400
                平均電阻率(AVG Resistivity)0.85±0.03Ω·CMHennecke六代分選機(HENNECKS SORTER VI


                標簽:
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